无锡美新半导体总部大楼(Wuxi Memsic Semiconductor Headquarter)

紫白和

项目名称：无锡美新半导体总部大楼(Wuxi Memsic Semiconductor Headquarter)建筑师：UDG China
项目地点：中国 无锡
项目面积：14 057.36㎡
摄影：Courtesy of UDG China

该建筑综合体包含了办公、研发和制作空间。建筑形象和景观结构设计中采用了“方形”和“圆形”因素，反映了古老的阴阳理论。

立面中突出强调了水平线条，每层中的无钢混凝土屋檐为2.5m。这不仅反映了传统建筑深邃的宁静气质，同时有助于避免阳光直射室内空间。如此，研发办公空间获得了柔和的非直射自然光线。

高度透明的玻璃幕墙模糊化了建筑的垂直边缘，从室内即可以感受到水平扩展的屋檐。建筑立面是铝制幕墙，使用热传递技术，赋予深灰色的铝面板以纹理感，回归建筑的简单气质。北立面和西立面上的穿孔面板悬浮安装在户外。洞口的大小和密度可以依据太阳光线的细微变化来调节。

针对室内空间设计，楼梯连接了南北两面的大厅入口，一直向上延展到中间的玻璃幕墙和小砖墙。步行其上，人们可以感受到传统与现代的和谐共存，获得移动空间的超凡体验。